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        [發明專利]提高產品良率的光源噴粉方法在審

        專利信息
        申請號: 202211337399.3 申請日: 2022-10-28
        公開(公告)號: CN115579433A 公開(公告)日: 2023-01-06
        發明(設計)人: 楊帆;劉建強;宋浪;李偉偉;陳永華;陶洪波 申請(專利權)人: 深圳市同一方光電技術有限公司
        主分類號: H01L33/00 分類號: H01L33/00;H01L33/50;H01L25/075
        代理公司: 深圳市壹品專利代理事務所(普通合伙) 44356 代理人: 程然;覃詩惠
        地址: 518000 廣東省深圳市寶安區沙井*** 國省代碼: 廣東;44
        權利要求書: 暫無信息 說明書: 暫無信息
        摘要: 發明涉及光源的技術領域,公開了提高產品良率的光源噴粉方法,包括以下提供基板,基板具有發光區域,在發光區域固晶,形成多個暖白發光芯片以及正白發光芯片;提供模板,模板中具有多個鏤空槽,鏤空槽上下貫穿模板;鏤空槽的外周朝外凸出,形成四個外凸槽;在基板上設置圍壩,圍壩圍合在發光區域的外周,發光區域圍合形成包圍區域;在包圍區域內噴涂第二熒光膠層;通過采用模板覆蓋在多個暖白發光芯片上,鏤空槽與暖白發光芯片上下對齊布置,四個外凸槽分別與暖白發光芯片的四個端角位對齊,再將第一熒光膠層噴涂在發光芯片上,這樣既滿足暖白發光芯片間存在一定的空間間距,也保證了整個暖白發光芯片被第一熒光膠層均勻覆蓋,提升了成品良率。
        搜索關鍵詞: 提高 產品 光源 方法
        【主權項】:
        暫無信息
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        • 本發明涉及光源的技術領域,公開了提高產品良率的光源噴粉方法,包括以下提供基板,基板具有發光區域,在發光區域固晶,形成多個暖白發光芯片以及正白發光芯片;提供模板,模板中具有多個鏤空槽,鏤空槽上下貫穿模板;鏤空槽的外周朝外凸出,形成四個外凸槽;在基板上設置圍壩,圍壩圍合在發光區域的外周,發光區域圍合形成包圍區域;在包圍區域內噴涂第二熒光膠層;通過采用模板覆蓋在多個暖白發光芯片上,鏤空槽與暖白發光芯片上下對齊布置,四個外凸槽分別與暖白發光芯片的四個端角位對齊,再將第一熒光膠層噴涂在發光芯片上,這樣既滿足暖白發光芯片間存在一定的空間間距,也保證了整個暖白發光芯片被第一熒光膠層均勻覆蓋,提升了成品良率。
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        • 本發明涉及光源的技術領域,公開了大發光面多色溫光源的制造方法,包括具有發光區域及線路結構的基板,發光區域凸設有隔離條,隔離條將發光區域分為多個分區;在各個分區上布置發光芯片,且與線路結構進行電性連接,對分區先進行填充第一熒光膠,填充后對基板進行烘烤,直至第一熒光膠烘干,再對未點膠的分區進行填充第二熒光膠,填充后對基板進行烘烤,直至第二熒光膠烘干,形成大發光面多色溫光源,在點膠過程中,不會出現相鄰分區的熒光膠混雜且光源呈現的多色溫效果質量好,制造過程簡便。
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        • 本申請涉及LED制備工藝技術領域,尤其涉及一種白光LED裝置的制備方法,包括如下步驟:將藍寶石襯底的一表面進行刻蝕處理,形成圖形化的藍寶石襯底;在藍寶石襯底的圖形化表面生長外延層,然后制作電極;將含有紅色熒光粉的第一粉膠混合物涂覆在藍寶石襯底背離外延層的表面得到第一粉膠層,然后將含有黃色熒光粉和綠色熒光粉的第二粉膠混合物涂覆在第一粉膠層上得到第二粉膠層;將結合有第一粉膠層和第二粉膠層的藍寶石襯底進行切割處理得到多個單元芯片;采用倒裝方式將單元芯片固定在支架上,然后封裝得到白光LED裝置。這種先對晶圓涂覆熒光粉、再切割、最后芯片倒裝固定的制備方法,使白光LED裝置具有更好的發光效率和穩定性。
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        • 2022-11-10 - 2023-01-03 - H01L33/00
        • 本發明提供了一種芯片巨量轉移方法,包括以下步驟:將芯片置于液體中,將包裹芯片的液體固化形成球體,每個球體中包裹一個待轉移芯片;將球體放置在目標基板上,使目標基板上每個孔洞都落上包裹芯片的球體;將球體中除芯片外的固態物質去除,芯片落在目標基板的孔洞中,使芯片被目標基板上的孔洞包絡。本發明通過將包裹芯片的液體固化形成球體,并放置在目標基板上,使目標基板上每個孔洞的洞口都落上包裹芯片的球體;將球體中固態物質去除后,芯片落在目標基板的孔洞中的設置,能夠通過對固化或凝膠化的液體的檢測快速獲知是否完全轉移完成,并對未轉移的部位及時進行定點修復,從而提升巨量轉移技術的轉移速度和良率。
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        • 本發明涉及基板封裝技術領域,特別涉及一種基板封裝方法、基板以及燈具,該基板封裝方法包括以下步驟:獲取基板的預設焊盤信息;將黑色膜材覆蓋于基板設有焊盤的表面并對基板進行熱壓處理,讓膜材與基板表面結合以固化成型;熱壓后,基于基板的預設焊盤信息,用激光對預處理基板上的預設焊盤相對應位置的膜材進行開孔處理。本發明提供的基板封裝方法可以解決基板墨色不一致的問題,在預設的溫度以及壓力下熱壓,能趕走黑色膜材與基板接觸面之間的氣泡,使得基板與黑色膜材貼合度更高,熱壓過程中可以實現基板中不同材質Tg點的熱應力釋放,基板表面更加平整;選用的激光能快速準確的對焊盤所在位置上的膜材進行開孔,不會造成損壞焊盤。
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        • 本發明提供了一種顯示屏及其制備方法,顯示屏的制備方法包括以下步驟:S1、在具有驅動線路的TFT玻璃上鍍氮化鎵形成光源層;S2、將多余的氮化稼蝕刻掉,留下多個呈陣列分布的氮化鎵薄膜;S3、在氮化鎵薄膜上覆蓋量子點膜;S4、在量子點層上蓋上偏光板和玻璃蓋板并用框膠密封。本發明提供了一種全新的顯示屏制備工藝,具有驅動線路的TFT玻璃上鍍氮化鎵,由氮化鎵通電發光提供顯示屏光源,該制備方法簡單,可以進行批量大規模鍍膜,節省了巨量轉移工藝成本,因此可以顯著降低顯示屏的制備成本,具有很好的經濟優勢和市場應用前景。
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        • 本發明公開了一種用于LED芯片行業wafer電性數據復原的方法,屬于芯片分選數據恢復領域,包括以下步驟:一:設點,即將實物芯片及對應的坐標轉移到方片資料上,方片資料上原始芯片的坐標為(x1,y1);二:得分選數據,即通過檢測并得到分選數據,芯片的坐標為(x2,y2);三:對比,即將步驟二中得到的分選數據與原始芯片數據進行比對,然后得到數據異常的芯片;四:測差值,即將異常芯片現所在的坐標位置與該異常芯原始坐標位置進行對比,并得到錯位的差值,差值M1=x2?x1,M2=y2?y1;五:恢復異常數據。本發明能有效解決LED芯片行業在分選工序中導致的實物與數據不一致的異常,將實物對應的數據重新恢復。
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        • 本發明涉及一種氮化鋁模板的制備方法,其包括以下步驟:(1)、在襯底的表面上濺射10~1000nm厚的氮化鋁層;(2)、將表面濺射有氮化鋁層的襯底進行高溫退火處理;(3)、將經過高溫退火處理后的表面濺射有氮化鋁的襯底進行深冷處理;(4)、將深冷處理后的表面濺射有氮化鋁的襯底升溫至室溫;(5)、將升溫至室溫的表面濺射有氮化鋁的襯底進行低溫退火處理;(6)、重復循環上述步驟(3)?步驟(5)兩到六次,得到最終的氮化鋁模板。其可有效優化AlN和藍寶石界面的應力狀態,改善界面的結合性能,減小AlN的晶格應變,提高用此模板生長不同組分AlGaN的表面形貌和晶體質量。
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        • 吳向龍;徐曉強;閆寶華;王成新 - 山東浪潮華光光電子股份有限公司
        • 2021-06-30 - 2022-12-30 - H01L33/00
        • 本發明提供一種微型數碼顯示發光二極管的制備方法。本發明方法包括步驟:在LED外延片表面的歐姆接觸層上將顯示圖形以外以及內部區域刻蝕形成發光圖形;在顯示圖形以外區域,將暴露的歐姆接觸層的部分刻蝕至襯底;在得到的器件上表面制備第一絕緣層;在第一絕緣層上制作第一電極,第一電極與發光圖形相接觸;在所得器件的上表面蒸鍍第二絕緣層;在第二絕緣層上制作第二電極N電極;第二電極N電極通過導線和第一電極相連;然后制作第二電極P電極,使其與襯底上的歐姆接觸層相接觸;最后經襯底減薄、切割即得。本發明方法可以將所需圖形集成到毫米甚至微米級的發光二極管上,而且不需要對每一段進行固晶、打線作業,因此成本低、良率高。
        • ITO表面粗化處理方法及LED芯片-202211219290.X
        • 周志兵;張星星;林瀟雄;胡加輝;金從龍 - 江西兆馳半導體有限公司
        • 2022-09-30 - 2022-12-30 - H01L33/00
        • 本發明公開了一種ITO表面粗化處理方法,包括以下步驟:準備GaN外延片,所述GaN外延片表面覆蓋有ITO薄膜層;采用預設照劑量的低能離子束對所述ITO薄膜層進行離子束轟擊,同時所述GaN外延片以預設速率進行自轉,以使所述ITO薄膜層表面形成規律排列的納米尺寸的點狀結構,得到表面粗化后的ITO薄膜層。本發明操作簡便,成本低,生產效率高,能夠有效提升LED芯片的外量子效率,提升LED發光亮度。
        • 一種半導體晶圓將不良晶圓去除的設備-202211153942.4
        • 王慶富;喬占偉 - 東莞市合易自動化科技有限公司
        • 2022-09-21 - 2022-12-30 - H01L33/00
        • 本發明的一種半導體晶圓將不良晶圓去除的設備,包括:研磨組件、激光加熱器、安裝板、滑動組件,所述安裝板上設置有所述滑動組件,所述滑動組件與所述激光加熱器連接,所述滑動組件還與所述研磨組件連接,通過所述激光加熱器在加熱LED晶圓時同時加熱焊接焊盤,使得返修時所述研磨組件在研磨的晶圓焊盤時也更易將焊盤上錫層清理掉,從而使焊盤表面更加平整,減少焊盤間無錫殘留物,提高了返修質量。
        • 外延片、外延片生長工藝及發光二極管-202211134142.8
        • 鄭文杰;程龍;高虹;曾家明;劉春楊;胡加輝 - 江西兆馳半導體有限公司
        • 2022-09-19 - 2022-12-30 - H01L33/00
        • 本發明具體公開一種外延片、外延片生長工藝及發光二極管,該生長工藝包括:提供襯底;在襯底上依次外延生長緩沖層、n型GaN層、位錯阻擋層、發光層、電子阻擋層、p型GaN層及p型接觸層;n型GaN層上形成有V形坑;位錯阻擋層為多個周期的InaGa1?aN/AbGa1?bN超晶格結構,組分A為Mg或Zn中的任意一種或兩種組合。位錯阻擋層一方面可減少V形坑產生密度,以避免V形坑密度過大所帶來的漏電、非輻射復合增加的,以使V形坑具有適當的密度;另一方面可減少由底層帶來對發光層的極化效應,調節緩沖層及n型GaN層生長產生的應力,提高GaN外延層質量,增強發光輻射效率,提高發光效率。
        • 一種藍寶石襯底不剝離的Micro-LED微型顯示器件及其制備方法-202211293751.8
        • 羅莎;許建;瞿帥;白偉偉;吳昊 - 紹興君萬微電子科技有限公司
        • 2022-10-21 - 2022-12-27 - H01L33/00
        • 本發明提供一種藍寶石襯底不剝離的Micro?LED微型顯示器件制備方法,包括:首先在藍寶石晶圓上制備密度LED微像素陣列,P型氮化鎵外延層靠近藍寶石襯底,多層量子阱層在P型氮化鎵外延層上生長,N型氮化鎵外延層生長在多量子阱上,N極的導電電極外延生長在藍寶石襯底上方兩側邊緣;在生長完畢LED的藍寶石晶圓上涂布色轉換層,在色轉換層固化后在其上方制備彩色濾光層實現RGB色彩顯示;將藍寶石襯底打磨,待減薄完畢,光刻光阻后,刻蝕藍寶石至P型氮化鎵層,并N極的導電電極;沉積P電極金屬及N電極金屬,并圖形化形成P電極及N電極的引線;將藍寶石晶圓進行分切,切割出N個小面板;LED與驅動背板進行倒裝鍵合并灌封后完成LED顯示器件芯片的制備。
        • 一種基于MicroLED芯片的巨量轉移方法及系統-202211304174.8
        • 戴志明;曾銀海;王超;張鵬 - 深圳藍普視訊科技有限公司
        • 2022-10-24 - 2022-12-27 - H01L33/00
        • 本申請公開了一種基于MicroLED芯片的巨量轉移方法及系統,其涉及微型LED巨量轉移技術領域,該方法包括如下步驟:將用于裝載MicroLED芯片的芯片裝載模具放置于芯片裝載區;獲取芯片裝載模具的模具圖片;基于模具圖片獲取芯片裝載槽的分布區域和分布特征;根據分布區域劃定轉移基板的吸附區域;基于分布特征在轉移基板上的吸附區域內生成特征磁場;控制轉移基板吸附MicroLED芯片;將吸附有MicroLED芯片的轉移基板移動至芯片裝載區上方,并使得分布區域和吸附區域對齊;消除轉移基板上的特征磁場以使所有MicroLED芯片落入對應的芯片裝載槽中。本申請具有MicroLED芯片巨量轉移效率較高的效果。
        • 發光二極管制造方法及發光二極管-202211190424.X
        • 楊天鵬;焦建軍;康建;陳向東 - 圓融光電科技股份有限公司
        • 2022-09-28 - 2022-12-27 - H01L33/00
        • 本申請提供一種發光二極管制造方法及發光二極管,發光二極管制造方法,包括提供襯底;在襯底上依次生長緩沖層、至少一層三維結構層、至少一層二維結構層、N型摻雜層、量子阱發光層和P型摻雜層;其中,三維結構層的第一生長條件為:轉速500?1300轉/分、溫度1000?1200℃、壓力300?600托;二維結構層的第一生長條件為:轉速500?1300轉/分、溫度1000?1200℃、壓力10?300托;三維結構層的第二生長條件為:轉速40?100轉/分、溫度1000?1200℃、壓力100?500托;二維結構層的第二生長條件為:轉速40?100轉/分、溫度1000?1200℃、壓力10?100托。本申請有利于降低外延結構層的翹曲度,有利于提升發光二極管波長的均勻性。
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