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        [發明專利]基板清洗裝置及基板清洗方法在審

        專利信息
        申請號: 201980019193.6 申請日: 2019-02-18
        公開(公告)號: CN111868889A 公開(公告)日: 2020-10-30
        發明(設計)人: 高東智佳子;福永明;倉下將光;宇野惠;濱田聰美 申請(專利權)人: 株式會社荏原制作所
        主分類號: H01L21/304 分類號: H01L21/304;B08B1/00;B08B3/02;B08B3/04
        代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 代理人: 張麗穎
        地址: 日本國東京都*** 國省代碼: 暫無信息
        權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
        摘要: 提供一種能夠在短時間內進行高效的清洗工具的自我清洗的基板清洗裝置?;迩逑囱b置具備:清洗工具,該清洗工具用于與基板的表面接觸而對基板進行清洗;自我清洗部件,該自我清洗部件用于與清洗工具接觸而對清洗工具進行自我清洗;清洗工具旋轉機構,該清洗工具旋轉機構用于使清洗工具旋轉;清洗工具保持機構,該清洗工具保持機構對清洗工具進行保持,能夠將清洗工具按壓于基板,并且能夠將清洗工具按壓于自我清洗部件。另外,基板清洗裝置具備控制部,該控制部以使得在對清洗工具進行自我清洗時清洗工具旋轉機構使清洗工具旋轉的自我清洗時轉矩成為規定轉矩的方式控制清洗工具向自我清洗部件的按壓力,該規定轉矩是在清洗工具對基板進行清洗時清洗工具旋轉機構使清洗工具旋轉的基板清洗時轉矩以上的轉矩。
        搜索關鍵詞: 清洗 裝置 方法
        【主權項】:
        暫無信息
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        • 本發明提供一種晶圓的制造方法,該方法包含晶圓周緣部的倒角加工、主要面的研磨或雙面磨削加工、蝕刻加工、主要面的鏡面拋光加工以及倒角部的鏡面拋光加工的各步驟,其中,倒角部的截面形狀由以下所構成:與第一主要面連續的第一傾斜部、與第一傾斜部連續且曲率半徑R1的第一圓弧部、與第二主要面連續的第二傾斜部、與第二傾斜部連續且曲率半徑R2的第二圓弧部、以及連接第一圓弧部及第二圓弧部的端部,其中,在倒角加工中,將R1及R2加工為與產品晶圓中的R1及R2的目標值范圍內相比更小,在倒角部的鏡面拋光加工中,將R1及R2加工為在產品晶圓中的R1及R2的目標值范圍內。由此,提供能夠抑制由于蝕刻產生的倒角截面形狀的圓周方向參差的晶圓的制造方法。
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        • 本公開提供了一種表面改性的襯底保持器及其制備方法,該制備方法包括:S1,在粗拋光后的基板上沉積改性層,改性層為易于刻蝕的材料;S2,對改性層進行精拋光,精拋光達到的平面度大于粗拋光達到的平面度;S3,在精拋光后的改性層上形成耐磨層;S4,在耐磨層上形成光刻膠層,對光刻膠層進行曝光、顯影,得到第一圖形結構;S5,在顯影后的光刻膠層上生長金屬掩模層,再剝離去除光刻膠層,在金屬掩模層中得到第二圖形結構;S6,采用反應離子刻蝕將第二圖形結構轉移至改性層中,去除金屬掩模層,得到表面改性的襯底保持器。本公開的方法能夠簡單高效地加工出高精度的襯底保持器,滿足高制程加工的需求。
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        • 2021-04-20 - 2022-12-23 - H01L21/304
        • 本發明的一方面提供一種CMP研磨液,其用以研磨多晶硅,所述CMP研磨液含有磨粒和陽離子性聚合物,所述陽離子性聚合物包含選自由具有包含氮原子及碳原子的主鏈和鍵合于所述碳原子的羥基的聚合物A及烯丙胺聚合物B組成的組中的至少一種。本發明的另一方面提供一種研磨方法,其具備使用該CM P研磨液來研磨被研磨材料的工序。
        • 基片液處理裝置和基片液處理方法-202180032981.6
        • 中島干雄;小宮洋司;中森光則;北野淳一;南輝臣;大塚貴久;小佐井一樹;尾嶋智明 - 東京毅力科創株式會社
        • 2021-04-30 - 2022-12-23 - H01L21/304
        • 本發明提供有利于抑制顆?;烊氲揭峁┙o基片的處理液中的技術?;禾幚硌b置包括:供給容器,處理液經由引導管線被供給到供給容器的內側;對供給容器的內側加壓的加壓裝置;噴出被供給來的處理液的噴出嘴;供給管線,其與供給容器和噴出嘴連接,沒有設置對連接供給容器與噴出嘴的流路進行可變限制的調節機構;第一排液管線,其與供給管線中的供給容器與噴出嘴之間的第一分支部分連接;液流調節機構,其設置于第一排液管線,限制壓力比設定壓低的處理液通過;和調節設定壓的控制部。
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        • 2021-04-25 - 2022-12-23 - H01L21/304
        • 本發明提供一種改善溝槽刻蝕導致晶圓毛邊的方法,提供硅基底,在硅基底上形成硬掩膜層;對硬掩膜層進行研磨,使硬掩膜層上表面中心區域的高度低于邊緣區域的高度;在硬掩膜層被研磨的中心區域形成光刻膠層;對光刻膠層進行曝光和顯影,形成用于制作溝槽的光刻膠圖形;按光刻膠圖形刻蝕所述硬掩膜層,硬掩膜層的所述中心區域形成為多個硬掩膜溝槽;按照硬掩膜溝槽刻蝕所述硅基底,形成多個溝槽。本發明通過將現有技術中的硬掩膜層加厚,并在溝槽光刻前增加一步對硬掩膜的區域研磨,使晶圓邊緣洗邊處硬掩膜比面內厚,從而硬掩膜刻蝕后保留一定量的硬掩膜作為邊緣溝槽刻蝕的阻擋層,達到消除晶圓硅基底毛邊的目的。
        • 基板處理裝置以及基板處理方法-201880009209.0
        • 中井仁司 - 株式會社斯庫林集團
        • 2018-01-24 - 2022-12-23 - H01L21/304
        • 基板處理裝置包括:保持基板的基板保持單元;用于噴出用于處理上述基板的處理液的處理液噴嘴;向上述處理液噴嘴供給處理液的供給配管;夾裝于上述供給配管并開閉該供給配管的供給閥;供處理液流通的流通配管,該處理液從上述處理液噴嘴噴出而不向上述基板保持單元所保持的基板供給的處理液;以及漏液檢測單元,其是用于檢測處理液從上述供給閥的漏出的漏液檢測單元,具有流通閥和檢測器,該流通閥夾裝于上述流通配管并開閉該流通配管,該檢測器用于檢測積存在上述流通配管中比上述流通閥靠上游側的上游側區域內的處理液、或者積存在從上述上游側區域分支并能預先積存上述處理液的分支區域的處理液,在上述供給閥及上述流通閥的關閉狀態下,基于積存在上述上游側區域或上述分支區域的處理液來檢測來自上述供給閥的漏液。
        • 一種基于柔性載板的SiC切割工藝-202211209764.2
        • 嚴立巍;朱亦峰;劉文杰;馬晴 - 中晟鯤鵬光電半導體有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
        • 2022-09-30 - 2022-12-20 - H01L21/304
        • 本發明涉及晶圓加工技術領域,具體的是一種基于柔性載板的SiC切割工藝,本發明包括S1、完成SiC正面金屬制程前的工藝與背面的減薄、離子植入;S2、將SiC正面鍵合在柔性玻璃載板上;S3、對晶圓采用激光隱形切割,并進行擴膜裂片;S4、將柔性玻璃載板鍵合在玻璃載板上;S5、濺鍍金屬膜;S6、使用uv光照,使得晶粒從柔性玻璃載板上解鍵脫落;本發明通過用柔性載板是因為做背面的金屬濺鍍時需要高溫,到那時切割??虿荒艹惺芨邷?;要能夠擴膜裂片又要能承受高溫,柔性載板就是最好的選擇,通過在晶圓的表面切割出上窄下寬的隱形切割面,這樣在濺鍍的時候,金屬在經過斷裂面后,就會掉入底部較寬的斷裂面內,就不會與兩邊的晶粒相連,直接在晶粒的表面鍍膜。
        • 雙面研磨裝置用載體、雙面研磨裝置及雙面研磨方法-201780072127.6
        • 田中佑宜;北爪大地 - 信越半導體株式會社
        • 2017-11-10 - 2022-12-20 - H01L21/304
        • 本發明提供一種雙面研磨裝置用載體,在將半導體硅晶圓雙面研磨的雙面研磨裝置中將該雙面研磨裝置用載體設置于各別貼附有研磨布的上下定盤之間,且該雙面研磨裝置用載體形成有用于在研磨之際將被夾在該上下定盤之間的該半導體硅晶圓予以支承的支承孔,其中該雙面研磨裝置用載體為樹脂制,與該研磨布接觸的表背面的相對于純水的接觸角度的平均值為45°以上60°以下,且表面與背面的接觸角度的平均值的差為5°以內。由此提供使用樹脂制載體的能提升半導體硅晶圓的研磨率的雙面研磨裝置用載體,以及使用此物的雙面研磨裝置及雙面研磨方法。
        • 基片處理裝置的杯狀體的清洗方法和基片處理裝置-202180030117.2
        • 岡村元洋 - 東京毅力科創株式會社
        • 2021-04-19 - 2022-12-16 - H01L21/304
        • 清洗方法包括下述的步驟(A)~步驟(B)。步驟(A),在杯狀體的內部水平地保持基片,并且使所述基片以鉛垂的旋轉軸為中心在第一方向上旋轉的狀態下,從第一噴嘴向所述基片的上表面的中心部供給第一處理液,并且從第二噴嘴向所述基片的上表面的周緣部供給第二處理液。步驟(B),在所述第二噴嘴排出所述第二處理液的過程中,使所述第二噴嘴在所述第二噴嘴的噴射線到達所述基片的上表面的周緣部的第一位置與所述第二噴嘴的噴射線偏離所述基片的第二位置之間,在所述基片的徑向上移動。
        • 雙面研磨裝置用載具的制造方法及晶圓的雙面研磨方法-202180031139.0
        • 吉田容輝;田中佑宜 - 信越半導體株式會社
        • 2021-03-16 - 2022-12-16 - H01L21/304
        • 本發明是一種雙面研磨裝置用載具的制造方法,所述雙面研磨裝置用載具在具備粘貼有研磨布的上平臺及下平臺的雙面研磨裝置中使用,且具有:載具母材,其形成有用于保持晶圓的保持孔;以及樹脂嵌入物,其沿著所述保持孔的內周面配置,且形成有與所述晶圓的外周部相接的內周部,該方法包括:準備工序,準備所述載具母材及比該載具母材更厚的所述樹脂嵌入物;形成工序,將所述樹脂嵌入物以非粘接且剝離強度為10N以上、50N以下的方式形成于所述保持孔的內周面;以及調試研磨工序,使用所述雙面研磨裝置,對由所述載具母材及所述樹脂嵌入物構成的載具進行載荷為2級以上的多級的調試研磨。由此,提供一種雙面研磨裝置用載具的制造方法,可降低雙面研磨裝置用載具中樹脂嵌入物與載具母材的高低差量的表面背面之差。
        • 基板處理方法及基板處理裝置-201780013897.3
        • 中井仁司;金松泰范;安藤幸嗣;巖田智巳 - 株式會社斯庫林集團
        • 2017-01-24 - 2022-12-16 - H01L21/304
        • 在將內側杯部(24)的上端配置于較外側杯部(25)的上端靠下方的位置的外側杯相對狀態下,一面以通過外側杯部(25)的內側面接收從上表面(91)飛散的液體的方式使基板(9)以較高的轉速旋轉,一面朝上表面(91)上依次供給純水、混合液及有機溶劑。接著,在內側杯部(24)的內側面被配置于基板(9)的周圍的內側杯相對狀態下,朝上表面(91)供給填充材料溶液,在上表面(91)上填充填充材料溶液。由此,防止填充材料溶液與純水在內側杯部(24)內混合,從而防止填充材料溶液的膠狀化等。通過供給將有機溶劑與純水混合而成的混合液,抑制形成于上表面(91)的圖案要素的倒塌。
        • 一種碳化硅晶圓的裂片方法-202211118659.8
        • 嚴立巍;朱亦峰;劉文杰;馬晴 - 中晟鯤鵬光電半導體有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
        • 2022-09-13 - 2022-12-09 - H01L21/304
        • 本發明涉及碳化硅晶圓加工技術領域,具體的是一種碳化硅晶圓的裂片方法,本發明包括以下步驟:S1、取一個完成前半段制程的碳化硅晶圓,將碳化硅晶圓的背面貼附到一個帶有氣孔的玻璃載板上,從玻璃載板下方采用抽氣設備進行抽氣,將碳化硅晶圓真空吸附到玻璃載板上,然后采用LCPVD工藝在碳化硅晶圓上方沉積第二ILD層,通過在完成碳化硅晶圓正面金屬連接點的制作后,將碳化硅晶圓分離成多個已經完成接觸孔和金屬連接點制作的碳化硅晶圓,無需在完成裂片后再對每個碳化硅晶圓一一進行加工,有效的提升生產效率,并且對碳化硅晶圓切割時進行隱形激光切割,可以使得裂片時產生的損耗更低。
        • 基板處理方法及基板處理裝置-202180021242.7
        • 山口侑二 - 株式會社斯庫林集團
        • 2021-01-13 - 2022-12-06 - H01L21/304
        • 在超臨界干燥處理中,一邊防止因氣液界面的產生而引起的基板的污染,一邊通過處理流體以較高的置換效率置換附著于基板的液體。為了該目的,本發明的基板處理方法具備如下步驟:第一步驟(步驟S104),對收容基板的腔室內導入氣相的處理流體;第二步驟(步驟S105),使腔室內的處理流體自氣相不經由液相而變化為超臨界狀態;第三步驟(步驟S106),使腔室內的處理流體自超臨界狀態變化為液相;第四步驟(步驟S107),使腔室內的處理流體自液相變化為超臨界狀態;及第五步驟(步驟S108),使腔室內的處理流體自超臨界狀態不經由液相而變化為氣相并自腔室排出。
        • 晶片的加工方法-202210605403.3
        • 廣澤俊一郎 - 株式會社迪思科
        • 2022-05-31 - 2022-12-06 - H01L21/304
        • 本發明提供晶片的加工方法,能夠抑制貼合晶片的圍繞著器件區域的外周剩余區域的部分脫離時帶來的不良影響。晶片的加工方法包含如下的步驟:將外周緣進行了倒角的第一晶片的具有器件區域和外周剩余區域的一個面貼合于第二晶片的一個面而形成貼合晶片;將激光束沿著第一晶片的外周緣進行照射而形成環狀的改質區域,將第一晶片斷開成外周環狀部和中央區域;對第一晶片的另一個面粘貼擴展帶;通過對擴展帶進行擴展,以改質區域為起點而將第一晶片分割成外周環狀部和中央區域,并使外周環狀部從貼合晶片脫離;以及將第一晶片從另一個面側進行磨削而薄化至完工厚度。
        • 中空微球-202180025661.8
        • 清水康智;川崎剛美 - 株式會社德山
        • 2021-03-31 - 2022-12-02 - H01L21/304
        • 本發明的中空微球是包含由聚合性組合物聚合而成的樹脂的中空微球,所述聚合性組合物包含:分子內具有至少2個聚合性官能團的聚輪烷單體和除了所述分子內具有至少2個聚合性官能團的聚輪烷單體以外的聚合性單體。通過使用本發明的中空微球,能夠提供具有優異的拋光特性和耐久性的CMP用拋光墊。
        • 半導體元件的制造方法-202080099340.8
        • 藤川正洋;柳生榮治 - 三菱電機株式會社
        • 2020-04-13 - 2022-12-02 - H01L21/304
        • 本公開的目的是提供不良率低且薄的半導體元件的制造方法。在本公開所涉及的半導體元件的制造方法中,準備具備半導體基板(1)和半導體基板(1)上的電路元件(2)的電路元件基板(7),在電路元件(2)上形成電極保護層(3),準備支撐基板(8),在真空中在電路元件基板(7)的電極保護層(3)上和支撐基板(8)上形成金屬薄膜(6),通過原子擴散接合法使電路元件基板及支撐基板的金屬薄膜(6)彼此粘貼,由此接合電路元件基板(7)及支撐基板(8),對半導體基板(1)進行研磨去除而露出電路元件(2),對電路元件(2)的露出面接合轉印基板(10),在轉印基板(10)的接合后從電路元件(2)剝離支撐基板(8)。
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