[發明專利]電子裝置、光盤裝置、顯示裝置和攝像裝置在審
| 申請號： | 201410323143.6 | 申請日： | 2014-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN104300090A | 公開（公告）日： | 2015-01-21 |
| 發明（設計）人： | 渡部義昭;河角孝行 | 申請（專利權）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L27/32;G11B7/12;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 梁興龍;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本發明提供了一種具有高放熱性和高可靠性的保護膜的電子裝置、光盤裝置、顯示裝置和攝像裝置。所述電子裝置包括：電子元件；和包括氧化鋁層和氧化硅的保護膜，所述氧化鋁層覆蓋所述電子元件，所述氧化硅散布在所述氧化鋁層的表面上。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 電子 裝置 光盤 顯示裝置 攝像 | ||
【主權項】：
一種電子裝置，包括：電子元件；和包括氧化鋁層和氧化硅的保護膜，所述氧化鋁層覆蓋所述電子元件，所述氧化硅散布在所述氧化鋁層的表面上。
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- 王欣欣;賈文斌;彭銳;葉志杰;胡月;宋麗芳 - 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
- 2017-09-21 - 2019-11-05 - H01L51/52
- 本發明涉及顯示技術領域，公開一種散熱結構以及OLED顯示裝置，散熱結構包括相對設置的熱膨脹層和散熱層、第一納米線以及第二納米線，其中：第一納米線陣列分布在熱膨脹層與散熱層相對的表面上，第二納米線陣列分布在散熱層與熱膨脹層相對的表面，第一納米線和第二納米線交錯排布，部分第一納米線與第二納米線相接觸；熱膨脹層背離散熱層的表面形成熱量導入面，熱源上局部溫度較高處進入到熱膨脹層的熱量較多，帶動第一納米線運動的距離較遠，更多的第一納米線與第二納米線相接觸，熱量傳導更多地傳導至散熱層，并擴散到外部，使局部溫度較高處的溫度下降，進而使得熱源溫度均勻，能夠解決熱源散熱不均的問題，散熱效果較好，且結構簡單。
- 一種顯示基板及顯示裝置-201710505815.9
- 梁志凡;張偉;曾誠;何宇 - 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
- 2017-06-28 - 2019-11-01 - H01L51/52
- 本發明提供了一種顯示基板及顯示裝置，屬于顯示技術領域。其中，顯示基板，包括依次位于襯底基板上的第一電極結構、有機發光層和第二電極結構，所述顯示基板還包括：位于所述顯示基板出光側的濾光膜，其中，所述第一電極結構或所述第二電極結構的光吸收率大于第一閾值。本發明的技術方案能夠在保證OLED器件的發光效率的同時，保證顯示裝置的顯示對比度。
- AMOLED顯示面板及其制備方法-201710742019.7
- 劉威 - 京東方科技集團股份有限公司
- 2017-08-25 - 2019-11-01 - H01L51/52
- 本發明提供一種AMOLED顯示面板，包括基板；在所述基板上同一層設置有：遮擋金屬部分和陽極；在具有所述遮擋金屬部分和陽極的基板上設置有TFT結構，所述TFT結構包括有源層、柵絕緣層、柵極、源極和漏極；所述漏極與所述陽極電連接；在具有TFT結構的基板上設置有有機發光層和陰極，所述有機發光層位于所述陽極和所述陰極之間且與所述陽極和所述陰極相連。本發明還提供一種AMOLED顯示面板的制備方法。不僅節省工藝時間、降低成本以及提高良品率；而且還可以降低顯示面板的高度，從而有利于顯示基板的減薄化。
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
