<rp id="fwvt1"></rp>
        專利名稱
        主分類
        A 農業
        B 作業;運輸
        C 化學;冶金
        D 紡織;造紙
        E 固定建筑物
        F 機械工程、照明、加熱
        G 物理
        H 電學
        專利下載VIP
        公布日期
        2023-01-06 公布專利
        2023-01-03 公布專利
        2022-12-30 公布專利
        2022-12-27 公布專利
        2022-12-23 公布專利
        2022-12-16 公布專利
        2022-12-13 公布專利
        2022-12-09 公布專利
        2022-12-06 公布專利
        2022-12-02 公布專利
        更多 ?
        專利權人
        國家電網公司
        華為技術有限公司
        浙江大學
        中興通訊股份有限公司
        三星電子株式會社
        中國石油化工股份有限公司
        清華大學
        鴻海精密工業股份有限公司
        松下電器產業株式會社
        上海交通大學
        更多 ?
        鉆瓜專利網為您找到相關結果4543個,建議您升級VIP下載更多相關專利
        • [發明專利]偏置操作上的RF定制電壓-CN201980005856.9有效
        • 小林悟;W·田;S·拉烏夫;J·金;S·樸;D·盧博米爾斯基 - 應用材料公司
        • 2019-03-19 - 2023-01-06 - H01J37/32
        • 提供了用于在工藝腔室中的離子轟擊工藝期間減少噴頭上的粒子產生的方法、系統及設備。將第一RF信號及第二RF信號從RF發生器供應到嵌入工藝腔室中的基板支撐件中的電極。響應于對第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的測量,相對于第一RF信號調節第二RF信號。最大化在基板上的離子轟擊并且最小化在噴頭上產生的粒子的數量。本文描述的方法及系統提供了改進的離子蝕刻特性,同時減少從噴頭產生的碎屑粒子的量。
        • 偏置操作rf定制電壓
        • [發明專利]用于CMP監控的彩色成像-CN202211145611.6在審
        • D·J·本韋格努;R·D·托勒斯;B·A·斯韋德克;A·拉維德 - 應用材料公司
        • 2016-10-28 - 2023-01-03 - B24B37/013
        • 一種拋光系統,包括:拋光站,包括用以支撐拋光墊的壓板;支撐件,用以保持基板;直列計量站,用以在拋光站中拋光基板的表面之前或之后測量基板;及控制器。直列計量站包括彩色線掃描相機;白光源;框架,支撐光源和相機;及馬達,用以沿垂直于第一軸線的第二軸線導致在相機和支撐件之間的相對運動,以導致光源和相機橫跨基板掃描??刂破鹘浥渲靡詮南鄼C接收顏色數據,從顏色數據產生二維彩色圖像,并且基于該彩色圖像控制在拋光站處的拋光。
        • 用于cmp監控彩色成像
        • [發明專利]多區域半導體基板支撐-CN202280004030.2在審
        • I·班斯科 - 應用材料公司
        • 2022-03-02 - 2022-12-30 - H01L21/687
        • 示例性支撐組件可包括頂部圓盤,其特征在于第一表面和與第一表面相對的第二表面。頂部圓盤可在頂部圓盤的第一表面的外邊緣處界定凹陷凸緣。所述組件可包括冷卻板,所述冷卻板相鄰頂部圓盤的第二表面而與頂部圓盤耦合。所述組件可包括圍繞頂部圓盤的外部而與頂部圓盤耦合的背板。背板可至少部分地與頂部圓盤一起界定容積。冷卻板可容納在所述容積內。所述組件可包括設置在頂部圓盤的凹陷凸緣上的加熱器。所述組件可包括位于加熱器上并且圍繞頂部圓盤延伸的邊緣環。邊緣環可維持不與頂部圓盤接觸。
        • 區域半導體支撐
        • [發明專利]清潔高深寬比結構的方法及系統-CN202180031555.0在審
        • 舒伯特·S·楚;埃羅爾·安東尼奧·C·桑切斯 - 應用材料公司
        • 2021-08-12 - 2022-12-30 - H01L21/02
        • 本公開內容的實施方式一般涉及清潔基板表面的方法及系統。在一個實施方式中,提供處理基板的方法。此方法包括通過將基板定位在基板支撐件上將基板引進至處理腔室的處理空間。此方法進一步包括將第一處理氣體流入處理空間中,第一處理氣體包括HF,將第二處理氣體流入處理空間中,第二處理氣體包括吡啶、吡咯、苯胺、或前述物的組合,及將基板暴露于第一處理氣體與第二處理氣體以在氧化物去除條件下從基板去除氧化物。在另一實施方式中,提供系統,此系統包括處理基板的處理腔室及致使在處理腔室中執行處理方法的控制器。
        • 清潔高深結構方法系統
        • [發明專利]用于修改層堆疊物的部分的方法-CN202180032653.6在審
        • 蘇克圖·阿倫·帕里克 - 應用材料公司
        • 2021-03-11 - 2022-12-30 - H01L21/768
        • 本文提供的實施方式一般關于修改層堆疊物的部分的方法。方法包含以下步驟:形成深溝槽和窄溝槽,使得在層之間實現期望的低壓降。形成深溝槽的方法包含以下步驟:蝕刻可流動電介質的部分,使得深金屬觸點設置在深溝槽下方。選擇性地蝕刻深溝槽以形成修改的深溝槽。形成超級過孔的方法包含以下步驟:形成穿過層超級堆疊物的第二層堆疊物的超級過孔溝槽。本文公開的方法允許減小半導體層堆疊物中的特征結構的電阻,并且從而減小壓降。
        • 用于修改堆疊部分方法

        關于我們 尋求報道 投稿須知 廣告合作 版權聲明 網站地圖 友情鏈接 企業標識 聯系我們

        鉆瓜專利網在線咨詢

        400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

        咨詢在線客服咨詢在線客服
        tel code back_top
        日本少妇精品亚洲第一区
        <rp id="fwvt1"></rp>