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農業化學；冶金建筑機械工程區域搜索

主分類

B 作業；運輸

C 化學；冶金

D 紡織；造紙

E 固定建筑物

F 機械工程、照明、加熱

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公布日期

2023-03-17 公布專利

2023-03-14 公布專利

2023-03-10 公布專利

2023-03-07 公布專利

2023-03-03 公布專利

2023-02-28 公布專利

2023-02-24 公布專利

2023-02-21 公布專利

2023-02-17 公布專利

2023-02-14 公布專利

專利權人

國家電網公司

華為技術有限公司

中興通訊股份有限公司

三星電子株式會社

中國石油化工股份有限公司

鴻海精密工業股份有限公司

松下電器產業株式會社

上海交通大學

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[發明專利]一種雙柵氧結構的制備方法-CN202211431388.1在審
發明人：孫興;佟金剛 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L21/8238 文獻下載
摘要：本發明提供了一種雙柵氧結構的制備方法，包括：提供襯底，在襯底上沉積柵氧層；在柵氧層上形成圖案化光刻膠層，圖案化光刻膠層暴露的區域為薄柵氧區，圖案化光刻膠層覆蓋的區域為厚柵氧區；進行刻蝕，以去除薄柵氧區的柵氧層，并暴露薄柵氧區的襯底；進行氫氟酸濕法清洗，以去除薄柵氧區襯底上和圖案化光刻膠層上的光刻膠副產物；去除圖案化光刻膠層；繼續沉積柵氧層，從而在薄柵氧區和厚柵氧區分別得到不同厚度的柵氧層，形成雙柵氧結構。通過在去除光刻膠之前增加氫氟酸濕法清洗步驟，可去除薄柵氧區襯底上和圖案化光刻膠層上的光刻膠副產物，避免了光刻膠副產物最終形成氧化物副產物降低器件性能的問題，提高了雙柵氧工藝的品質。
一種雙柵氧結構制備方法

[發明專利]一種新型靜態存儲單元-CN202010324686.5有效
發明人：陳靜;呂迎歡;王碩;葛浩;謝甜甜 -專利權人：中國科學院上海微系統與信息技術研究所;上海華力微電子有限公司
申請日： 2020-04-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： G11C11/412 文獻下載
摘要：本申請實施例提供了一種新型靜態存儲單元，該新型靜態存儲單元是通過第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管，第七晶體管和第八晶體管，這八個晶體管的電性連接得到的具有特定功能的新型靜態存儲單元。相較于原有的存儲單元，通過增加的第一晶體管、第二晶體管和其他6個晶體管的結合得到的新型靜態存儲單元采用FDSOI工藝，在不增加面積的情況下可以抑制附體效應，而且具有低功耗和高性能的優勢；此外，該新型靜態存儲單元不僅可以在抗單粒子效應能力上得到提高，還可以在存儲數據的穩定性上得到增加。
一種新型靜態存儲單元

[發明專利]一種內嵌硅控整流器的PMOS器件及其實現方法-CN201910969259.X有效
發明人：朱天志 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2019-10-12 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L29/06 文獻下載
摘要：本發明公開了一種內嵌硅控整流器的PMOS器件及其實現方法，通過將現有內嵌硅控整流器的PMOS器件連接陰極的高濃度N型摻雜替換為低濃度N型輕摻雜(30)，并將該PMOS器件漏極的高濃度P型摻雜(22)、高濃度P型摻雜(24)以及該低濃度N型輕摻雜(30)上表面形成金屬硅化物，引出電極相連作為所述PMOS器件的陰極，并將該PMOS器件連結陽極的高濃度P型摻雜(20)與高濃度P型摻雜(26)下方的P型ESD摻雜去除，本發明可在提升PMOS器件二次擊穿電流的同時提升其維持電壓高于其工作電壓。
一種內嵌硅控整流器 pmos 器件及其實現方法

[發明專利]一種靜態隨機存取存儲器-CN201911170922.6有效
發明人：姚巖;孫亞賓;李小進;石艷玲;王昌鋒;廖端泉;田明;曹永峰 -專利權人：華東師范大學;上海華力微電子有限公司
申請日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： G11C11/412 文獻下載
摘要：本發明公開了一種靜態隨機存取存儲器，該存儲器包括上拉晶體管、傳輸晶體管及下拉晶體管。其中上拉晶體管和傳輸晶體管包括溝道、設置在溝道兩側的源端和漏端、設置在柵極氧化物外側的控制柵極和極性柵極，設置在控制柵極與源端之間的電學隔離的邊墻；下拉晶體管包括溝道、設置在溝道兩側的源端和漏端、設置在柵極氧化物外側的控制柵極和極性柵極，設置在控制柵極與漏端之間的電學隔離的邊墻。本發明利用非對稱型可重構場效應晶體管結構上的差異，來達到導通電流的不一致，實現了靜態隨機存儲單元所需的較高讀取靜態噪聲容限和寫入能力，有效的提高了靜態隨機存儲單元的讀寫穩定性，同時進一步提高了靜態存儲電路的性能。
一種靜態隨機存取存儲器

[發明專利]晶邊缺陷自動對焦系統及方法和計算機存儲介質-CN202110340985.2有效
發明人：王高宇 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H04N23/67 文獻下載
摘要：本發明提供了一種晶邊缺陷自動對焦系統及方法和計算機存儲介質，所述晶邊缺陷自動對焦方法包括：獲取一晶圓的晶邊缺陷信息，所述晶邊缺陷信息包括多個缺陷位置；選取其中一個缺陷位置為基點，對所述基點進行拍照，拍照距離為H1，所述拍照距離為光學攝像頭到基點的垂直距離；依次對除基點外的其他缺陷位置執行如下操作：按照拍照距離Hi對第i個缺陷位置進行拍照；直至完成對所有所述缺陷的拍照；其中所述拍照距離Hi＝H1?ΔH，所述ΔH為所述基點的高度與所述第i個缺陷位置的高度之差。本發明的技術方案實現了對晶邊缺陷的自動對焦，提高了對晶邊缺陷的拍攝效率。
缺陷自動對焦系統方法計算機存儲介質

[發明專利]CMOS圖像傳感器像素單元制備方法-CN202111050256.X在審
發明人：王璐;梅翠玉 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-03-10 - 主分類號： H01L27/146 文獻下載
摘要：本發明公開了一種CMOS圖像傳感器像素單元制備方法，針對CMOS圖像傳感器中像素區的多次離子注入進行工藝優化調整，將光電二極管N型離子注入前移到CMOS像素讀出電路的各MOS管的多晶硅柵形成之前，并利用光刻膠干刻消減工藝使光刻膠打開區域尺寸變大，從而使N型離子注入區擴大，在光刻膠干刻消減工藝基礎上進行第二次光電二極管N型離子注入實現同一光罩下不同圖形尺寸的兩次深度不同的光電二極管N型離子注入，形成上大下小的光電二極管的N型區并且節省光罩層次，減少光刻步驟。
cmos 圖像傳感器像素單元制備方法

[發明專利]一種連接組件及應用其的刻蝕機-CN202211420217.9在審
發明人：陳秋宇;沈吉;湯介峰;荊泉;陳力鈞 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分類號： H01J37/32 文獻下載
摘要：本發明提供了一種連接組件及應用其的刻蝕機，其中，本發明提供的連接組包括掛鉤和密封圈，所述掛鉤呈二階梯狀，所述掛鉤的第一階高h1和第二階高h2滿足：1/3＜h2/h1≤1，將其應用于刻蝕機，可有效提高上腔體部分整體的配合度，改善密封圈上聚合物沉積現象，延長其使用壽命，提高刻蝕機的刻蝕速率和刻蝕均一性。
一種連接組件應用刻蝕

[發明專利]半導體器件的制作方法-CN202211427641.6在審
發明人：張俊學;溫世源;吳智勇 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分類號： H01L21/762 文獻下載
摘要：本發明提供一種半導體襯底的制作方法，在STI制作過程中通過對氮化硅加厚，使CMP后密集區域和空曠區域的隔離溝槽均高于有源區，并在多晶硅刻蝕工藝前，形成第一底部抗反射層；再通過對第一底部抗反射層進行回刻平坦化，降低空曠區域有源區和隔離溝槽的高度差，從而避免多晶硅刻蝕工藝中，底部抗反射層涂布厚度差異過大，造成的有源區損傷或多晶硅殘留。
半導體器件制作方法

[發明專利]嵌入式SiGe沉積方法-CN202211428769.4在審
發明人：曹云;李佳佳;朱忠華;魏芳 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分類號： H01L21/8238 文獻下載
摘要：本發明本提供一種嵌入式SiGe沉積方法，依據產品版圖設計中I/O區域的占比，選擇不同的冗余圖形對產品版圖設計進行填充，在確保有源區圖形和柵極圖形滿足設計規則的前提下有效的改善鍺硅沉積密度，節約鍺硅工藝生長周期，提升產能，大大提升制造者的經濟效益。進一步的，本發明提供的嵌入式SiGe沉積方解決了同一工藝平臺下不同產品設計導致的鍺硅沉積密度差異過大的問題，保證工藝偏差的穩定性。有效的解決部分產品因鍺硅沉積密度過低影響鍺硅沉積速率的問題，提高流片的速度。
嵌入式 sige 沉積方法

[實用新型]量測機臺照明開關監控系統-CN202220927550.8有效
發明人：朱亞迪;劉濤 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-02-28 - 主分類號： G01R31/327 文獻下載
摘要：本實用新型提供一種量測機臺照明開關監控系統，其包括：監控模塊和照明開關模塊；所述照明開關模塊包括驅動裝置和插入件，所述照明開關模塊在正常狀態時，所述驅動裝置在接收到開閉信號時，驅動所述插入件移至開閉位置；所述監控模塊包括計時器；所述計時器用于在所述驅動裝置接收到所述開閉信號后開始計時，若所述計時器計時到達預設時長時，所述插入件還未移至所述開閉位置，則確定所述照明開關模塊處于故障模式。如此配置，使用者能夠根據插入件在預設時長內是否到達開啟位置來確定照明開關模塊是否處于故障模式，并在發生故障后能夠及時處理，提高了量測機臺的工作效率。
機臺照明開關監控系統

[發明專利]產品良率的評估方法-CN202211429789.3在審
發明人：王美玲;焦爽;毛貴蘊 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-02-24 - 主分類號： G06Q10/0631 文獻下載
摘要：本發明提供了一種產品良率的評估方法，包括：從已經完成測試的產品中選出良率達標的產品，并提取產品各個參數的值，作為基準參數值，并制作成第一文件；從待分析良率的產品中提取各個參數的值，作為待評估參數值，并制作成第二文件；采用分析工具調用第一文件和第二文件，對待評估參數值和基準參數值進行比較，以形成良率評估報告，其中，選取單個待評估參數，將其與對應的基準參數值進行比較，以得到單個待評估參數的分析圖。本發明提供的產品良率的評估方法代替了人工分析測試數據，減少了人力，提高了分析效率，同時，還能將多個參數的測試數據同時進行比較和分析。
產品評估方法

[發明專利]芯軸圖形的形成方法-CN201911204018.2有效
發明人：許鵬凱;喬夫龍;任佳 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-02-10 - 主分類號： H01L21/311 文獻下載
摘要：本發明提供了一種芯軸圖形的形成方法，包括:提供一襯底，在所述襯底上方依次形成芯軸圖形層、過渡層以及圖形化的旋涂介質層，所述過渡層的硬度大于所述旋涂介質層的硬度；以圖形化的旋涂介質層為掩膜，進行過渡層刻蝕，以形成圖形化的過渡層；去除所述圖形化的旋涂介質層，并以圖形化的過渡層為掩膜，進行芯軸圖形層刻蝕，以形成芯軸圖形。通過在所述芯軸圖形層和圖形化的旋涂介質層中間增加過渡層，改變了芯軸圖形刻蝕工藝中的膜層結構，既可以降低圖形化的旋涂介質層中的有機介電質層的厚度，同時解決了芯軸圖形層刻蝕過程中的掩模層厚度不夠的問題。
圖形形成方法

[發明專利]晶圓缺陷掃描方法-CN201911137379.X有效
發明人：韓俊偉 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2019-11-19 - 公布日： 2023-02-10 - 主分類號： H01L21/66 文獻下載
摘要：本發明提供了一種晶圓缺陷掃描方法，包括：采集晶圓的光學圖像，并根據所述光學圖像得到像素網格；獲取所述像素網格的所有灰階值，并確定最大灰階值和最小灰階值；根據最大灰階值在所述曝光區域中界定第一區域，以及根據最小灰階值在所述曝光區域中界定第二區域；針對所述第一區域和所述第二區域進行光源訓練以確定適用于整個曝光區域的最優光源；利用所述最優光源對晶圓進行缺陷掃描。通過利用最大灰階值選出第一區域以及利用最小灰階值選出第二區域，避免了人為選擇第一區域及第二區域的失誤，從而提高了配置適用于整個曝光區域的光源的準確性，更利于晶圓缺陷的觀察，使得晶圓表面的缺陷能夠被及時檢測。
缺陷掃描方法

[發明專利]晶圓缺陷檢測方法及系統-CN202010577852.2有效
發明人：胡向華;韓俊偉;何廣智;顧曉芳;倪棋梁 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-02-10 - 主分類號： G01R31/303 文獻下載
摘要：本發明提供了一種晶圓缺陷檢測方法及系統，包括建立網格坐標系并獲取晶圓缺陷的坐標；根據任意兩個缺陷間的距離值與第一規格值的關系定義臨近缺陷；根據兩個所述臨近缺陷的距離值的偏差值與第二規格值的關系定義連續臨近缺陷；根據順次連接的連續臨近缺陷上各缺陷之間的關系及三點連線夾角與第三規格值的關系定義鏈式缺陷；計算所述鏈式缺陷的長度。本發明通過對晶圓進行微距離網格坐標化處理，根據晶圓上的缺陷距離、偏差計算及三點連線夾角的方法，從晶圓缺陷中篩選出鏈式缺陷，并對鏈式缺陷的長度進行數據收集，實現鏈式缺陷的系統自診斷，達到鏈式缺陷的有效管控。
缺陷檢測方法系統

[發明專利]退火設備的溫度監控方法-CN202010884274.7有效
發明人：李贇佳;袁立軍 -專利權人： 上海華力微電子有限公司
申請日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-02-10 - 主分類號： H01L21/66 文獻下載
摘要：本發明提供了一種退火設備的溫度監控方法，包括：提供硅片，在所述硅片上形成不透光薄膜；對所述硅片進行退火，并在退火過程中實時測量所述硅片的溫度，并利用測量的溫度對退火溫度進行閉環控制。本發明解決了現有技術中測溫精度差和加熱穩定性差的問題。
退火設備溫度監控方法

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