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        專利名稱
        主分類
        A 農業
        B 作業;運輸
        C 化學;冶金
        D 紡織;造紙
        E 固定建筑物
        F 機械工程、照明、加熱
        G 物理
        H 電學
        專利下載VIP
        公布日期
        2023-01-17 公布專利
        2023-01-13 公布專利
        2023-01-10 公布專利
        2023-01-06 公布專利
        2023-01-03 公布專利
        2022-12-30 公布專利
        2022-12-27 公布專利
        2022-12-23 公布專利
        2022-12-16 公布專利
        2022-12-13 公布專利
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        專利權人
        國家電網公司
        華為技術有限公司
        浙江大學
        中興通訊股份有限公司
        三星電子株式會社
        中國石油化工股份有限公司
        清華大學
        鴻海精密工業股份有限公司
        松下電器產業株式會社
        上海交通大學
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        • [發明專利]用于光估計的方法與裝置-CN202210234676.1在審
        • 河仁友 - 三星電子株式會社
        • 2022-03-09 - 2023-01-17 - G06T15/50
        • 一種處理器實現的用于光估計的方法包括:使用光估計模型估計與輸入圖像相對應的光信息;檢測所述輸入圖像中的參考對象;確定所述參考對象的對象信息和支撐所述參考對象的參考平面的平面信息;基于所述光信息、所述對象信息和所述平面信息渲染與所述參考對象相對應的虛擬對象;以及基于將所述參考對象與所渲染的虛擬對象相比較的結果更新所述光估計模型,來訓練所述光估計模型。
        • 用于估計方法裝置
        • [發明專利]光學傳感器及包括該光學傳感器的電子裝置-CN202210353175.5在審
        • 文祥銀;李俊虎;盧淑英;安城模;尹鉐皓 - 三星電子株式會社
        • 2022-04-02 - 2023-01-17 - H01L27/146
        • 提供了一種包括平面納米光子微透鏡陣列的光學傳感器以及包括該光學傳感器的電子裝置。光學傳感器可以包括:傳感器基板,包括多個用于感測光的光敏單元;濾光層,設置在傳感器基板上;以及平面納米光子微透鏡陣列,設置在濾光層上,并且包括多個平面納米光子微透鏡,其中,該多個平面納米光子微透鏡在第一方向以及與第一方向垂直的第二方向上二維布置,并且每個平面納米光子微透鏡包括納米結構,納米結構布置為使得透射通過每個平面納米光子微透鏡的光在第一方向和第二方向上具有相變曲線凸出的相位分布。
        • 光學傳感器包括電子裝置
        • [發明專利]半導體器件及其制造方法-CN202210559399.1在審
        • 廉東赫;李寬欽;樸成華;林世燦 - 三星電子株式會社
        • 2022-05-19 - 2023-01-17 - H01L27/092
        • 公開了半導體器件及其制造方法。所述半導體器件包括:襯底上的有源圖案;器件隔離層,設置在所述襯底上以限定所述有源圖案;所述有源圖案上的源/漏圖案對;以及所述源/漏圖案對之間的溝道圖案,所述溝道圖案包括堆疊且彼此分隔開的半導體圖案;與所述溝道圖案交叉的柵電極;以及所述柵電極的側表面上的柵間隔物。位于所述器件隔離層上的柵間隔物包括具有第一厚度的上部和具有第二厚度的下部。所述第二厚度大于所述第一厚度,并且所述柵間隔物的下部位于比所述半導體圖案中最上的半導體圖案低的層級。
        • 半導體器件及其制造方法
        • [發明專利]包括磁電阻器的處理裝置-CN202210676692.6在審
        • 皮雄煥 - 三星電子株式會社
        • 2022-06-15 - 2023-01-17 - G11C11/16
        • 一種處理裝置包括:位單元陣列,所述位單元陣列包括至少一個位單元線,所述至少一個位單元線包括彼此串聯電連接的多個位單元,其中所述多個位單元中的每一個包括:第一磁電阻器,所述第一磁電阻器被配置為基于磁疇壁的位置的移動存儲第一電阻值;第二磁電阻器,所述第二磁電阻器被配置為存儲第二電阻值,其中所述第二電阻值等于或小于所述第一電阻值;第一開關元件,所述第一開關元件被配置為切換施加到所述第一磁電阻器的電信號;以及第二開關元件,所述第二開關元件被配置為切換施加到所述第二磁電阻器的電信號。
        • 包括磁電處理裝置
        • [發明專利]自注意力機制中特征圖的稀疏化方法-CN202210696722.X在審
        • D.P.L.索斯利;沈程杳;J.H.哈松;方俊 - 三星電子株式會社
        • 2022-06-20 - 2023-01-17 - G06N3/082
        • 公開了一種減少自注意力深度學習模型中的計算的方法。在訓練自注意力模型時,特征圖正則化項被添加到損失函數中。在推斷期間,從自注意力模型的至少一個特征圖中去除至少一個低量值特征。在自注意力模型被訓練之后,自注意力模型的權重被量化。添加特征圖正則化項減少了特征圖的激活值,并且從至少一個特征圖中去除至少一個低量值特征可以通過基于低量值特征具有小于預定閾值的值而將低量值特征設置為等于零來執行。自注意力模型的特征圖被量化和壓縮。
        • 注意力機制特征稀疏方法
        • [發明專利]用于距離測量的圖像傳感器和圖像傳感器模塊-CN202210725891.1在審
        • 陳暎究;金永燦 - 三星電子株式會社
        • 2022-06-23 - 2023-01-17 - H04N25/70
        • 提供了一種用于距離測量的圖像傳感器以及一種包括所述圖像傳感器的圖像傳感器模塊。所述圖像傳感器包括:像素陣列,所述像素陣列包括多個像素,所述多個像素包括布置在第一線上的多個第一像素和布置在第二線上的多個第二像素,其中,所述多個第一像素和所述多個第二像素被布置為彼此交錯,并且所述多個第一像素和所述多個第二像素中的每一個像素包括多個調制晶體管,所述多個調制晶體管用于在光電荷收集時段期間接收多個調制信號;行譯碼器,所述行譯碼器向所述像素陣列提供控制信號和所述多個調制信號;以及模數轉換電路,所述模數轉換電路從所述像素陣列接收多個感測信號并且將所述多個感測信號轉換成多個數字信號。
        • 用于距離測量圖像傳感器模塊
        • [發明專利]圖像傳感器和圖像傳感器的操作方法-CN202210601846.5在審
        • 金允洪;蔡熙成;鄭演煥;薛亥植 - 三星電子株式會社
        • 2022-05-30 - 2023-01-17 - H04N25/76
        • 公開了一種圖像傳感器和圖像傳感器的操作方法。所述圖像傳感器包括:模擬比較器,被配置為:將像素信號的信號電平與作為多個斜坡信號中的任何一個的目標斜坡信號的信號電平進行比較;計數器,被配置為基于模擬比較器的比較結果輸出計數數據;以及數字比較電路,被配置為:將與目標斜坡信號對應的目標參考碼的二進制值與計數數據的二進制值進行比較,并且基于計數數據的二進制值和目標參考碼的二進制值之間的比較結果,確定是否將與計數數據對應的數字信號輸出到數據輸出電路。
        • 圖像傳感器操作方法
        • [發明專利]半導體裝置-CN202210806228.4在審
        • 樸俊模;樸鍊皓;崔圭峰;樸恩實;李俊錫;李晉碩 - 三星電子株式會社
        • 2022-07-08 - 2023-01-17 - H01L27/088
        • 提供了一種半導體裝置。所述半導體裝置包括:基底,包括分別在第一方向上延伸并布置在第一線上的第一有源鰭和第二有源鰭,基底具有在第一有源與第二有源鰭之間的凹部;器件隔離膜,在基底上;第一柵極結構和第二柵極結構,分別在第一有源鰭和第二有源鰭上,并且在第二方向上延伸;以及場分離層,具有在第一有源鰭與第二有源鰭之間且在凹部中的第一部分以及在第二方向上從第一部分的兩側延伸到器件隔離膜的上表面的第二部分。凹部具有在與第一方向和第二方向相交的第三方向上比器件隔離膜的上表面低的底表面,并且器件隔離膜的上表面的區域具有平坦的表面。
        • 半導體裝置
        • [發明專利]圖像傳感器-CN202210807270.8在審
        • 趙京淳 - 三星電子株式會社
        • 2022-07-07 - 2023-01-17 - H01L27/146
        • 一種圖像傳感器,包括:第一芯片結構;第二芯片結構,設置在第一芯片結構上,并且其中定義了各自包括光電轉換元件的像素;以及透光蓋,通過粘合層接合到第二芯片結構的邊緣區域,并且具有凹槽部分,該凹槽部分覆蓋其中容納像素的區域,其中,第二芯片結構包括:襯底,具有彼此相對的第一表面和第二表面;濾色器,設置在襯底的第二表面上以對應于像素;覆蓋絕緣層,覆蓋濾色器,被容納在凹槽部分中,并設置為與凹槽部分的外邊界水平間隔開;以及微透鏡,設置在覆蓋絕緣層上以分別對應于像素。覆蓋絕緣層的上表面的豎直高度高于襯底的第二表面,并且相對于襯底的第二表面具有3μm至15μm的階梯差。
        • 圖像傳感器
        • [發明專利]半導體器件-CN202210807743.4在審
        • 高明東;千健龍;金洞院;金賢錫;李尚炫;李炯錫 - 三星電子株式會社
        • 2022-07-08 - 2023-01-17 - H01L27/088
        • 一種半導體器件包括:襯底;第一有源圖案和第二有源圖案,位于襯底上,沿第一方向延伸,并沿第二方向間隔開;柵電極,位于第一有源圖案和第二有源圖案上并沿第二方向延伸;第一柵極分離結構,位于第一有源圖案與第二有源圖案之間,沿第一方向延伸,并分離柵電極;以及第一元件分離結構,位于柵電極之間,沿第二方向延伸,并分離第二有源圖案,其中,距第一柵極分離結構的第一部分的第一邊的距離小于距第一柵極分離結構的第二部分的第一邊的距離,并且到第一部分的第二邊的距離小于到第二部分的第二邊的距離。
        • 半導體器件

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