“H01L21/02”專利分類搜索_專利查詢_文獻下載_出售_求購_買賣_交易_鉆瓜專利網

<rp id="fwvt1"></rp>

首頁在售求購查詢申請展會資訊專利榜企服商城升級VIP

立即登錄免費注冊

在售專利
求購專利
查詢專利
新聞資訊
技術展會
招商加盟
專利榜

本網專利代理業務由天津創信方達專利代理事務所(普通合伙)承接機構代碼：12247 本網專利代理業務由天津創信方達專利代理事務所(普通合伙)承接機構代碼：12247 本網專利代理業務由天津創信方達專利代理事務所(普通合伙)承接機構代碼：12247

本網專利代理業務由天津創信方達專利代理事務所(普通合伙)承接機構代碼：12247 本網專利代理業務由天津創信方達專利代理事務所(普通合伙)承接機構代碼：12247 本網專利代理業務由天津創信方達專利代理事務所(普通合伙)承接機構代碼：12247

專利名稱

專利名稱
專利號碼
專利分類
申請人
公布日期

農業化學；冶金建筑機械工程區域搜索

主分類

B 作業；運輸

C 化學；冶金

D 紡織；造紙

E 固定建筑物

F 機械工程、照明、加熱

專利下載VIP

公布日期

2023-03-17 公布專利

2023-03-14 公布專利

2023-03-10 公布專利

2023-03-07 公布專利

2023-03-03 公布專利

2023-02-28 公布專利

2023-02-24 公布專利

2023-02-21 公布專利

2023-02-17 公布專利

2023-02-14 公布專利

專利權人

國家電網公司

華為技術有限公司

中興通訊股份有限公司

三星電子株式會社

中國石油化工股份有限公司

鴻海精密工業股份有限公司

松下電器產業株式會社

上海交通大學

鉆瓜專利網為您找到相關結果9326個，建議您升級VIP下載更多相關專利

[發明專利]用于硅外延片電阻測試的洗凈工藝-CN202211454742.2在審
發明人：陳珈璐 -專利權人：杭州中欣晶圓半導體股份有限公司
申請日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：本發明涉及一種用于硅外延片電阻測試的洗凈工藝，所屬半導體技術領域，包括如下操作步驟：第一步：硅外延片制作外側后，采用單片清洗的模式，先采用HF溶液進行洗凈。第二步：完成HF溶液清洗后，硅外延片立即用去離子水DIW沖洗。第三步：完成DIW洗凈后，進行烘干處理。具有工藝簡單和流程好控制的優點。保持與現有洗凈方法效果一致，但減少了藥液的使用量，大幅度降低了成本。同時縮短周期，從一般的40 min縮短至3min以內。
用于外延電阻測試洗凈工藝

[發明專利]基板處理方法及基板處理裝置-CN202211110770.2在審
發明人：鄭鎮優;車銘碩 -專利權人：細美事有限公司
申請日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：提供一種基板處理裝置，包括：流體供應單元，其向處理空間供應超臨界流體；多個部件，其安裝在流體供應管線中；和檢測構件，其檢測是否從部件中釋放金屬顆粒。檢測構件包括：上游檢測端口，其在作為多個部件之一的第一部件的上游連接至流體供應管線；下游檢測端口，其在第一部件的下游連接至流體供應管線；和檢測器，其被設置為聯接至上游檢測端口和下游檢測端口之間的選定檢測端口，并檢測從流體供應管線流經檢測端口的流體中的金屬顆粒。
處理方法裝置

[發明專利]一種復合碳化硅襯底及其制備方法-CN202211644873.7有效
發明人：母鳳文;郭超 -專利權人：青禾晶元（天津）半導體材料有限公司
申請日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：本發明提供了一種復合碳化硅襯底及其制備方法，所述襯底包括單晶碳化硅層以及碳化硅支撐層；所述單晶碳化硅層以及碳化硅支撐層之間設置有第一摻雜碳化硅層；所述第一摻雜碳化硅層和單晶碳化硅層之間設置有鍵合界面層。所述制備方法為：（1）在所述碳化硅支撐層上沉積第一摻雜碳化硅層，得到第一復合層；（2）將步驟（1）所得第一復合層與經過離子注入或激光照射的單晶碳化硅層相互鍵合，施加應力后得到所述復合碳化硅襯底組件；（3）熱處理步驟（2）所得復合碳化硅襯底組件，得到所述復合碳化硅襯底。本發明提供的復合碳化硅襯底可以減輕或消除鍵合界面電阻，且制備方法簡便高效，可控性好。
一種復合碳化硅襯底及其制備方法

[發明專利]石墨烯/介質材料為復合襯底的三族氮化物微米柱結構及制備方法-CN201710104757.9有效
發明人：曹冰;趙恩;漆林;李宗堯;楊松;王欽華 -專利權人：蘇州大學
申請日： 2017-02-24 - 公布日： 2023-03-17 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：本發明公開了一種石墨烯/介質材料為復合襯底的三族氮化物微米柱結構及制備方法。石墨烯由低溫固態碳源法在非藍寶石介質材料上直接制備，得到復合襯底，再在復合襯底的石墨烯上生長出三族氮化物微米柱，得到一種石墨烯/介質材料為復合襯底的三族氮化物微米柱結構。本發明技術方案解決了在某些介質材料上三族氮化物無法成核生長的難題，拓寬了三族氮化物外延用介質襯底的范圍。尤其是使用石墨烯/石英復合襯底外延三族氮化物，可以有效降低外延成本。本發明流程簡單易行，原材料價廉易得，適合規?；a。
石墨介質材料復合襯底氮化物微米結構制備方法

[發明專利]超低介電常數介電層及形成其的方法-CN201810828662.6有效
發明人：姜允姬;金志英;任臺鎮;白宗玟;安商燻;吳赫祥;韓奎熙 -專利權人：三星電子株式會社
申請日： 2018-07-25 - 公布日： 2023-03-17 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：本發明概念的實施例提供形成超低介電常數介電層的方法及由所述方法形成的超低介電常數介電層。所述方法可包括：通過供應包含硅、氧、碳及氫的前驅體來形成第一層；對所述第一層執行第一紫外線工藝，以將所述第一層轉換成第二層；以及在不同于所述第一紫外線工藝的工藝條件下對所述第二層執行第二紫外線工藝。本發明概念的實施例可提供形成同時具有低介電常數及優異的機械強度的超低介電常數介電層的方法。
介電常數介電層形成方法

[發明專利]半導體結構的制備方法-CN202211500635.9在審
發明人：汪松;程曲;劉俊哲;王逸群 -專利權人：湖北江城芯片中試服務有限公司
申請日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L21/027 文獻下載
摘要：本發明涉及一種半導體結構的制備方法。半導體結構的制備方法包括：提供第一晶圓；于第一晶圓的上表面形成第一鍵合膠層；提供第二晶圓，并將第二晶圓與第一晶圓通過第一鍵合膠層鍵合；對第二晶圓進行圖形化處理，以于第二晶圓內形成貫穿第二晶圓的多個第一通孔；基于圖形化后的第二晶圓刻蝕第一晶圓，以于第一晶圓內形成多個第一盲孔；各第一盲孔的形狀與位置由各第一通孔定義出。采用本方法能夠節省成本。
半導體結構制備方法

[發明專利]一種降低表面顆粒的單片晶片清洗方法-CN202211504380.3在審
發明人：向齊濤;柏友榮;陳杰;劉浦鋒;聶環;陳猛 -專利權人：上海超硅半導體股份有限公司;重慶超硅半導體有限公司
申請日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：本發明提供一種降低晶片表面顆粒度的清潔方法，所述方法包括如下步驟：S1，向旋轉的晶片表面噴射氧化劑，在晶片表面形成均勻的氧化層；S2，向旋轉的晶片表面噴射清洗劑，通過去除氧化層達到去除顆粒、有機物、金屬雜質等各類污染物的目的；S3，向旋轉的晶片表面再次噴射氧化劑，在晶片表面形成均勻的氧化層以保護晶片表面；S4，向旋轉的晶片表面噴射去離子水，以對晶片表面進行漂洗；S5，向旋轉的晶片表面噴射高純氮氣，以對晶片表面進行干燥。本發明是通過在不同轉速下調節ULPA的輸出功率來控制內部風壓在不同階段不同轉速下保持0±2帕的穩定范圍內的目的，減少了顆粒污染物在晶片表面的吸附，從而提高產品的良品率和可靠性。
一種降低表面顆粒單片晶片清洗方法

[發明專利]一種氮化物薄膜及其制備方法-CN202211504945.8在審
發明人：朱亞丹;盧太平;張立春;王美山;梁豆豆;賀文偉 -專利權人：魯東大學
申請日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：本發明的目的在于提供一種氮化物薄膜及其制備方法，屬于半導體外延工藝技術領域，所述氮化物薄膜包括位于襯底上的緩沖層、位于緩沖層上交替沉積的重摻雜氮化物層與非故意摻雜氮化物層，重摻雜氮化物層具有粗糙表面結構，非故意摻雜氮化物層具有平坦表面結構。本發明的重摻雜氮化物層的粗糙結構能夠引起位錯的彎曲和終止，減少后續生長的外延膜中的位錯密度，粗糙的重摻雜氮化物層也有利于應力釋放，減少外延膜中的應力；非故意摻雜氮化物層的平坦表面具有較低的表面粗糙度，能夠為后續外延膜的生長提供良好的生長表面。因此，本發明通過交替沉積的重摻雜氮化物層與非故意摻雜氮化物層能夠減少后續生長的外延膜中的缺陷，有利于改善器件性能。
一種氮化物薄膜及其制備方法

[發明專利]圖形化刻蝕工藝中降低光刻膠損耗的方法-CN202211207761.5在審
發明人：徐衡 -專利權人：上海華虹宏力半導體制造有限公司
申請日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L21/027 文獻下載
摘要：本發明公開了一種圖形化刻蝕工藝中降低光刻膠損耗的方法，包括：步驟一、在晶圓表面上形成第一材料層。步驟二、進行光刻工藝形成光刻膠圖形。步驟三、進行預處理，預處理采用等離子體轟擊作用使光刻膠圖形的表面產生碳化和固化并形成富碳掩蓋層。步驟四、進行第一次刻蝕工藝以形成第一材料層圖形，富碳掩蓋層用于減少光刻膠圖形的損耗量且在第一次刻蝕工藝完成后保證在晶圓的各區域的第一材料層圖形的頂部表面都保留有光刻膠圖形。步驟五、去除光刻膠圖形。本發明能在材料層的刻蝕過程中降低光刻膠的損耗且保證在刻蝕工藝完成后在材料層的圖形的頂部表面依然有光刻膠保留，從而能避免材料層產生損耗如產生削角。
圖形刻蝕工藝降低光刻損耗方法

[發明專利]一種AlN襯底制作方法、復合襯底以及AlN襯底-CN202211452716.6在審
發明人：吳華龍;何晨光;張康;賀龍飛;廖乾光;劉云洲;趙維;陳志濤 -專利權人：廣東省科學院半導體研究所
申請日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：本申請提供了一種AlN襯底制作方法、復合襯底以及AlN襯底，涉及半導體技術領域。首先提供基質襯底，然后基于基質襯底的表面沉積第一AlN層，再基于第一AlN層的表面沉積第二AlN層，并獲取晶圓；其中，第一AlN層的致密性低于第二AlN層的致密性，接著將晶圓進行退火處理，以在基質襯底與第一AlN層的界面處形成空氣孔洞，最后將基質襯底與第一AlN層剝離，以獲取AlN襯底。本申請提供的AlN襯底制作方法、復合襯底以及AlN襯底具有提升襯底剝離良率和降低制備成本的優點。
一種 aln 襯底制作方法復合以及

[發明專利]信息處理方法以及信息處理裝置-CN202180047096.5在審
發明人：米道仁史 -專利權人：東京毅力科創株式會社
申請日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：本發明涉及信息處理方法以及信息處理裝置。信息處理方法獲取在對基板的周期處理中測定出的時間序列數據組。信息處理方法針對獲取到的時間序列數據組所包含的每個時間序列數據，計算周期處理的各周期的統計值。信息處理方法生成基于計算出的統計值的統計數據。信息處理方法將生成的統計數據或者時間序列數據分割為規定的區間。信息處理方法基于分割后的統計數據或者時間序列數據，針對每個區間計算代表值。
信息處理方法以及裝置

[發明專利]一種薄膜掩膜-CN202210997786.3在審
發明人：蔡永安 -專利權人：隆基綠能科技股份有限公司
申請日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L21/027 文獻下載
摘要：本發明提供了一種薄膜掩膜，包括：第一層及第二層；第一層與第二層疊層設置；第二層包括粘性膜；第一層在紫外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數≥20％，其中，紫外光光源的波長為355±15nm；或，第一層在綠光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數≥20％，其中，綠光光源的波長為530±15nm；或，第一層在紅外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系數≥20％，其中，紅外光光源的波長為1045±20nm；第一層的可見光透過率≤90％。本發明提供的薄膜掩膜利用光學特性，與普通薄膜相比，光源的需求功率較低，能夠節約成本。進一步的，通過低功耗的光源形成圖案化內容，而且粘性膜的成本低廉，也不需要匹配復雜的工藝實現圖案化處理，實現降本增效。
一種薄膜

[發明專利]數據處理裝置、數據處理系統、數據處理方法以及數據處理程序-CN202180048888.4在審
發明人：米道仁史;酒井永典;秋元健司 -專利權人：東京毅力科創株式會社
申請日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：本發明提供抑制特征數據的缺少而對多波長的時間序列數據進行壓縮并進行圖像化的數據處理裝置、數據處理系統、數據處理方法以及數據處理程序。數據處理裝置具有：預處理部，通過使用規定的基準數據對多波長的時間序列數據進行歸一化，來生成歸一化數據；提取部，將上述歸一化數據按每個規定的時間范圍以及規定的波長范圍劃分為多個區域，并提取各區域中的離群值作為代表值；以及生成部，將上述各區域的代表值轉換為顏色數據，生成圖像數據。
數據處理裝置數據處理系統方法以及程序

[發明專利]工件分離裝置及工件分離方法-CN202180048968.X在審
發明人：大谷義和;富岡恭平 -專利權人：信越工程株式會社
申請日： 2021-01-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：本發明提供一種工件分離裝置及工件分離方法，對支承體與凝固層的局部性的接合部位進行選擇性的光照射，從而從凝固層輕易地剝離支承體。本發明的工件分離裝置的特征在于，具備：保持部件，將層疊體的工件側或支承體中的任一方保持成裝卸自如；光照射部，透過被保持部件保持的層疊體的支承體或工件側中的另一方而朝向分離層照射光；隔離部件，相對于層疊體的工件側或支承體中的任一方，使另一方朝厚度方向隔離移動；及控制部，對光照射部及隔離部件進行操作控制，層疊體具有：分離層，沿支承體的表面層疊；及凝固層，沿分離層層疊，控制部進行如下控制：通過光照射部進行遍及分離層的整個面照射光的整體照射、以及僅對支承體的表面及凝固層的接合部位局部照射光的選擇照射。
工件分離裝置方法

[發明專利]一種半導體結構及其制造方法-CN202010760375.3有效
發明人：亨利·H·阿達姆松;王桂磊;徐步青;杜勇;黎奔 -專利權人：廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院;中國科學院微電子研究所
申請日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分類號： H01L21/02 文獻下載
摘要：本申請實施例提供了一種半導體結構及其制造方法，包括提供硅襯底，在硅襯底上可以外延形成緩沖層，緩沖層可以包括鍺膜和/或砷化鎵膜，在緩沖層上外延形成磷化銦層。這樣鍺膜和/或砷化鎵膜可以作為硅襯底和磷化銦層之間的緩沖層，改善硅襯底和磷化銦層之間的晶格失配，減少磷化銦層中的反向疇，減少磷化銦層中的缺陷，提高基于磷化銦層的器件的性能。
一種半導體結構及其制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一頁»
尾頁
共 9326 條

友情鏈接：交換友情鏈接需要網站權重大于4，網站收錄10W以上，如符合條件，請聯系QQ：76009968。

關于我們尋求報道投稿須知廣告合作版權聲明網站地圖友情鏈接企業標識聯系我們

在線咨詢

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版權所有鉆瓜科技（天津）有限公司津ICP備15000985號津公網安備 12019202000206號http://www.musicboxmix.net/公布日期

咨詢在線客服

咨詢在線客服

tel code back_top

日本少妇精品亚洲第一区

<rp id="fwvt1"></rp>